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一种介电常数可调中低介电常数氮化硅陶瓷及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201611168857.X
  • IPC分类号:C04B35/584;C04B35/64
  • 申请日期:
    2016-12-16
  • 申请人:
    中国科学院上海硅酸盐研究所
著录项信息
专利名称一种介电常数可调中低介电常数氮化硅陶瓷及其制备方法
申请号CN201611168857.X申请日期2016-12-16
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2018-06-26公开/公告号CN108203302A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/584IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;5;8;4;;;C;0;4;B;3;5;/;6;4查看分类表>
申请人中国科学院上海硅酸盐研究所申请人地址
上海市长宁区定西路1295号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海硅酸盐研究所当前权利人中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人曾宇平;梁汉琴;左开慧;夏咏锋;姚冬旭;尹金伟
代理机构上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)代理人郑优丽;熊子君
摘要
本发明涉及一种介电常数可调中低介电常数氮化硅陶瓷及其制备方法,所述氮化硅陶瓷由Si3N4、Al2O3、Nd2O3以及BaTiO3四种起始原料烧结而成,在起始原料中,Al2O3和Nd2O3合计的质量百分比为5~10%,BaTiO3的质量百分比为20%以下,优选为5~20%。本发明中,BaTiO3用以调控介电常数,Al2O3和Nd2O3为烧结助剂,可以降低烧结温度,从而充分发挥BaTiO3的掺杂效果。

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