多晶硅铸锭炉及控制方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810055537.2
IPC分类号：C30B29/06;C30B28/06
申请日期：
2008-08-01
申请人：
中国电子科技集团公司第二研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	多晶硅铸锭炉及控制方法
申请号	CN200810055537.2	申请日期	2008-08-01
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-12-31	公开/公告号	CN101333681
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/06 硅〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;2;8;/;0;6查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第二研究所	申请人地址	山西省太原市和平南路115号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第二研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第二研究所
发明人	侯炜强;程建平;张金凤;韩栋梁
代理机构	山西科贝律师事务所	代理人	陈奇

摘要

本发明公开了一种多晶硅铸锭炉以及对该炉的控制方法，多晶硅铸锭炉，包括封闭的炉体(1)、在工作台(8)上活动设置的坩埚(3)、温度传感器(5)、压力传感器(19)、CPU及接口电路，在工作台(8)上活动设置一与提升装置(6)机械连接在一起的罩体(13)，CPU通过接口电路控制罩体(13)内设置的电阻加热丝(9)、炉内气压和罩体(13)的提升量。CPU通过各接口电路实现对多晶硅铸锭炉的自动控制。本发明的多晶硅铸锭炉及控制方法，提高了用硅溶液生长多晶硅时，晶核排列的同一性和排列密度，使生成的多晶硅的光电转换率大大提高。

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