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自对准式TFT有源矩阵的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010561384.6
  • IPC分类号:H01L21/77;H01L21/265;H01L21/768
  • 申请日期:
    2010-11-27
  • 申请人:
    上海大学
著录项信息
专利名称自对准式TFT有源矩阵的制造方法
申请号CN201010561384.6申请日期2010-11-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-05-25公开/公告号CN102074504A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/77IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人上海大学申请人地址
上海市宝山区上大路99号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海大学当前权利人上海大学
发明人陈龙龙;李喜峰;张建华
代理机构上海上大专利事务所(普通合伙)代理人何文欣
摘要
本发明涉及一种基于微机械加工工艺的自对准式TFT有源矩阵制造方法,该方法采用自对准式方法实现欧姆接触层的制作,从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低,提高制造成品率。区别于传统的TFT有源矩阵中欧姆接触层的制作方法,本发明利用自对准的方式实现欧姆接触层的制作,即从底栅金属电极方向作离子注入并以底栅金属电极作为自对准的图形,在有源层与源漏电极层形成欧姆接触层,从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低,提高制造成品率。

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