光散射多层结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910001876.7
IPC分类号：H01L31/0236;H01L31/0232;H01L31/18
申请日期：
2009-01-14
申请人：
财团法人工业技术研究院

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著录项信息

专利名称	光散射多层结构及其制造方法
申请号	CN200910001876.7	申请日期	2009-01-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-07-14	公开/公告号	CN101777588A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0236 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/02 零部件〔2〕 H01L31/0236 特殊表面结构〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;3;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;3;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	财团法人工业技术研究院	申请人地址	中国台湾新竹县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	财团法人工业技术研究院	当前权利人	财团法人工业技术研究院
发明人	杨宏仁;黄建福
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	彭久云

摘要

本发明公开了一种光散射多层结构及其制造方法。光散射多层结构，包括透明基板、第一透明材料层以及第二透明材料层。透明基板具有第一表面与第二表面，第二表面为受光面，且第一表面与第二表面相对。第一透明材料层位于第一表面上，第一透明材料层具有多个第一突起，使其具有第一平均表面粗糙度。第二透明材料层位于第二表面上，第二透明材料层具有多个第二突起，使其具有第二平均表面粗糙度，且第一平均表面粗糙度大于第二平均表面粗糙度，以增加透明基板的光的散射能力。其中第一平均表面粗糙度介于120nm至140nm之间。

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