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衬底热处理设备和衬底热处理方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200880001147.5
IPC分类号：H01L21/324;H01L21/26
申请日期：
2008-08-28
申请人：
佳能安内华股份有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	衬底热处理设备和衬底热处理方法
申请号	CN200880001147.5	申请日期	2008-08-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2009-10-28	公开/公告号	CN101569000
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/324 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/324 用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结（H01L21/20至H01L21/288，H01L21/302至H01L21/322优先）〔2，2006.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6查看分类表>
申请人	佳能安内华股份有限公司	申请人地址	日本神奈川变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	佳能安内华股份有限公司	当前权利人	佳能安内华股份有限公司
发明人	柴垣真果
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	张涛

摘要

本发明涉及一种衬底热处理设备，在该设备中，衬底支架单元布置在真空腔中并可竖直地运动，所述衬底支架单元包括由具有高辐射率的碳或覆盖有碳的材料制成的衬底台架。包括与衬底台架相对的散热表面的加热单元在真空腔中设置在衬底台架上方。衬底台架运动接近散热表面以用来自散热表面的辐射热与衬底非接触地加热衬底。衬底支架单元包括辐射板和反射板。

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