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一种平面栅IGBT及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610414414.8
  • IPC分类号:H01L29/417;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/739
  • 申请日期:
    2016-06-13
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称一种平面栅IGBT及其制作方法
申请号CN201610414414.8申请日期2016-06-13
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-09-07公开/公告号CN105932050A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/417IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;4;1;7;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;6;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人张金平;张玉蒙;田丰境;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波
代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)代理人葛启函
摘要
一种平面栅IGBT及其制作方法,属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统平面栅IGBT器件结构的基础上,在器件JFET区表面的部分区域引入浮空p型区,所述浮空p型区与栅电极在垂直于MOS沟道长度方向形成间隔分布,器件正向导通时在JFET区通过垂直于MOS沟道长度方向上从栅极往浮空p型区方向的横向载流子扩散,本发明结构在不影响器件正向导通特性的条件下,减小了器件的栅极电容,特别是栅极‑集电极电容,提高了器件的开关速度,降低了器件的开关损耗,同时不会使器件的阻断特性劣化。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供