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单面薄膜电容式触摸传感器

发明专利无效专利

申请号：
CN201180023622.0
IPC分类号：G01R27/26
申请日期：
2011-05-10
申请人：
普尔想象力有限责任公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	单面薄膜电容式触摸传感器
申请号	CN201180023622.0	申请日期	2011-05-10
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-03-13	公开/公告号	CN102971635A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R27/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R27/00 测量电阻、电抗、阻抗或其派生特性的装置 G01R27/02 电阻、电抗、阻抗或其派生的其他两端特性，例如时间常数的实值或复值测量（仅仅通过测量相位角的入G01R 25/00） G01R27/26 电感或电容的测量；品质因数的测量，例如通过应用谐振法；损失因数的测量；介电常数的测量	IPC分类号	G;0;1;R;2;7;/;2;6查看分类表>
申请人	普尔想象力有限责任公司	申请人地址	美国华盛顿州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	普尔想象力有限责任公司	当前权利人	普尔想象力有限责任公司
发明人	菲利普·T·奥多姆;迈克尔·华莱士
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	关兆辉;谢丽娜

摘要

本发明描述了薄膜电容式触摸传感器及其应用。实施例包括带有局部填充图案的单面和双面薄膜电容式触摸传感器的结构，单面薄膜电容式触摸传感器包括导电接地平面层，单面薄膜电容式触摸传感器包括空气间隙层，单面薄膜电容式触摸传感器包括两个分离层的组合以创建空气间隙层和导电接地平面层。

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