一种无铅钙钛矿Cs2SnBr6晶体材料及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910733870.2
IPC分类号：C30B29/12;C30B7/14
申请日期：
2019-08-09
申请人：
友达光电股份有限公司

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专利名称	一种无铅钙钛矿Cs2SnBr6晶体材料及制备方法
申请号	CN201910733870.2	申请日期	2019-08-09
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2019-11-01	公开/公告号	CN110396722A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/12 卤化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;1;2;;;C;3;0;B;7;/;1;4查看分类表>
申请人	友达光电股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	友达光电股份有限公司	当前权利人	友达光电股份有限公司
发明人	蔡旻锦;林群哲;詹钧翔;范铎正;蔡庭玮;杜宜轩;朱雅琪
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人	张燕华;祁建国

摘要

本发明提供了一种全无机钙钛矿Cs2SnBr6晶体材料及合成方法。本发明利用优化的热注入法，并调控其反应温度、时间、表面配体比例与前驱体(SnBr4)溶液的浓度，仅利用单一卤素(Br)即可有效调控铯锡溴钙钛矿Cs2SnBr6材料具有不同晶体结构与发光光谱，并可以成功地改善锡基钙钛矿材料的光电性能。与此同时，利用金属元素锡代替了有毒元素铅，减少了环境污染。本目标产物在LED、平板显示、太阳能电池等领域具有广阔的应用前景。

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