光致抗蚀剂下层和形成光致抗蚀剂图案的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011301426.2
IPC分类号：G03F7/09;G03F7/16;G03F7/38;G03F7/004
申请日期：
2020-11-19
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	光致抗蚀剂下层和形成光致抗蚀剂图案的方法
申请号	CN202011301426.2	申请日期	2020-11-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-27	公开/公告号	CN113176708A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F7/09 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F7/00 图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L 21/00，H05K）〔3，5〕 G03F7/004 感光材料（G03F 7/12，G03F 7/14优先）〔5〕 G03F7/09 以细部结构为特征的，例如，基片层、辅助层（印刷版的基片层一般入B41N）〔5〕	IPC分类号	G;0;3;F;7;/;0;9;;;G;0;3;F;7;/;1;6;;;G;0;3;F;7;/;3;8;;;G;0;3;F;7;/;0;0;4查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	訾安仁;林进祥;张庆裕
代理机构	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司	代理人	赵艳

摘要

本申请涉及光致抗蚀剂下层和形成光致抗蚀剂图案的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在半导体基板上方形成包含光致抗蚀剂下层组合物的光致抗蚀剂下层；以及在所述光致抗蚀剂下层上方形成包含光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层。使所述光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射，并且使所述光致抗蚀剂层显影以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。所述光致抗蚀剂下层组合物包含具有酸不稳定侧基的聚合物、具有交联基团的聚合物或具有羧酸侧基的聚合物、产酸剂和溶剂。所述光致抗蚀剂组合物包含聚合物、光活性化合物和溶剂。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供