热处理装置、热处理方法以及存储介质

发明专利有效专利

申请号：
CN201810841102.4
IPC分类号：H01L21/67
申请日期：
2018-07-27
申请人：
东京毅力科创株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	热处理装置、热处理方法以及存储介质
申请号	CN201810841102.4	申请日期	2018-07-27
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-02-05	公开/公告号	CN109309033A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	东京毅力科创株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东京毅力科创株式会社	当前权利人	东京毅力科创株式会社
发明人	福留生将;森泰夫
代理机构	北京林达刘知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘新宇

摘要

本公开提供对于提高覆膜形成时的膜厚均匀性有效的热处理装置、热处理方法以及存储介质。热处理装置(20)具备：处理室(31)，其收纳作为处理对象的晶圆(W)；热处理部(50)，其被设置在处理室内，用于支承并加热晶圆，具有至少在该晶圆的周向上排列的多个热处理区域(51)；供气口(35)，其向处理室内导入气体；排气口(34)，其从处理室内排出气体；多个流速传感器(71)，其在热处理部所支承的晶圆的周向排列，用于检测气流的流速；以及控制部(100)，其基于与由多个流速传感器检测的气流的流速相应的温度分布来控制热处理部以对多个热处理区域的温度进行调节。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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