制造半导体器件的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201080011089.1
IPC分类号：H01L29/786;C01G15/00;G09F9/30;H01L21/28;H01L21/316;H01L21/336;H01L21/363;H01L21/768;H01L23/522;H01L29/417
申请日期：
2010-02-19
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	制造半导体器件的方法
申请号	CN201080011089.1	申请日期	2010-02-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-02-08	公开/公告号	CN102349158A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/786 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕 H01L29/786 薄膜晶体管〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;C;0;1;G;1;5;/;0;0;;;G;0;9;F;9;/;3;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;6;3;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;7查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	大原宏树;佐佐木俊成
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	刘倜

摘要

一个目的是设置一种包括具有满意特性的半导体元件的半导体器件。本发明的制造方法包括步骤：在衬底上形成作为栅电极的第一导电层；形成第一绝缘层以覆盖第一导电层；在第一绝缘层上形成半导体层，以使得部分半导体层与第一导电层重叠；形成电连接到半导体层的第二导电层；形成第二绝缘层以覆盖半导体层和第二导电层；形成电连接到第二导电层的第三导电层；在形成半导体层的步骤之后，并且在形成第二绝缘层的步骤之前，执行第一热处理；和在形成第二绝缘层的步骤之后执行第二热处理。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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