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一种制备高质量的半绝缘碳化硅单晶衬底的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811205277.2
IPC分类号：C30B23/02;C30B29/36;C30B33/02
申请日期：
2018-10-16
申请人：
山东天岳先进材料科技有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种制备高质量的半绝缘碳化硅单晶衬底的方法
申请号	CN201811205277.2	申请日期	2018-10-16
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2019-01-18	公开/公告号	CN109234802A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B23/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B23/00 冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长〔3〕 C30B23/02 外延层生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;3;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;C;3;0;B;3;3;/;0;2查看分类表>
申请人	山东天岳先进材料科技有限公司	申请人地址	山东省济南市槐荫区天岳南路99号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山东天岳先进科技股份有限公司	当前权利人	山东天岳先进科技股份有限公司
发明人	高超;柏文文;张红岩;窦文涛
代理机构	济南千慧专利事务所（普通合伙企业）	代理人	吴绍群

摘要

本申请公开了一种制备高质量半绝缘碳化硅单晶衬底的方法，属于半导体材料领域。该制备方法通过对高纯碳化硅单晶晶片进行高温快速热处理技术和表面激光退火技术，将引入到高纯半绝缘碳化硅衬底表面一定区域内的点缺陷进行清除，同时保留距离衬底表面的内部点缺陷，从而实现在无缺陷的碳化硅单晶衬底表层洁净区并保留碳化硅单晶衬底的半绝缘特性，且制备的GaN外延层的获得最佳的质量。

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