成膜装置

发明专利有效专利

申请号：
CN200880021777.9
IPC分类号：C23C14/35;C23C14/34
申请日期：
2008-04-30
申请人：
株式会社神户制钢所

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著录项信息

专利名称	成膜装置
申请号	CN200880021777.9	申请日期	2008-04-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-03-31	公开/公告号	CN101688294
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4查看分类表>
申请人	株式会社神户制钢所	申请人地址	日本兵库县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社神户制钢所	当前权利人	株式会社神户制钢所
发明人	玉垣浩
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	朱美红;杨楷

摘要

本发明的目的是提供一种能够容易地形成均匀的膜厚的覆膜、并且批量生产率良好的成膜装置。为此，具备具有多个基材保持部(7)的基材保持器(2)、和成膜用蒸发源(3)。成膜用蒸发源(3)包括圆筒状靶(11)，在圆筒状靶(11)的表面上形成有具有与其中心轴平行的方向的两条直线部和将这些直线部的两端彼此连接的弧状部的形状的腐蚀区域，成膜粒子从该腐蚀区域向圆筒状靶(11)的径向外侧蒸发。基材保持器(2)将各基材(W)沿基材保持部(7)的排列方向移动，以使其凹状成膜面(S)分别位于与腐蚀区域相对向的成膜位置。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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