一种NFC模组用隔磁片及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710205357.7
IPC分类号：H01F7/00;H01F41/02;H05K9/00
申请日期：
2017-03-31
申请人：
深圳市远磁材料技术有限公司

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著录项信息

专利名称	一种NFC模组用隔磁片及其制造方法
申请号	CN201710205357.7	申请日期	2017-03-31
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2017-06-20	公开/公告号	CN106876084A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F7/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F7/00 磁体	IPC分类号	H;0;1;F;7;/;0;0;;;H;0;1;F;4;1;/;0;2;;;H;0;5;K;9;/;0;0查看分类表>
申请人	深圳市远磁材料技术有限公司	申请人地址	广东省东莞市企石镇江边村金磊工业园A栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东思泉新材料股份有限公司	当前权利人	广东思泉新材料股份有限公司
发明人	韩洪波;谷宏
代理机构	广州科粤专利商标代理有限公司	代理人	谭健洪;莫瑶江

摘要

本发明公开了一种NFC模组用隔磁片，特别的，包括磁性薄片层和散热层；该磁性薄片层包括若干个由金属软磁材料制成的磁性薄片，该金属软磁材料为高磁导率材料；相邻磁性薄片通过粘结剂同向粘结；该散热层由散热材料制成，该散热层的一侧通过粘结剂与磁性薄片层粘结，另一侧设有用于起绝缘保护作用的保护膜。本发明还公开了制造上述NFC模组用隔磁片的制造方法。本发明具有结构简单、性能优异、隔磁片磁导率和品质因素显著提高、生产过程简单便利、保证隔磁片在使用过程中能够良好的散好等优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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