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基于雪崩光电二极管的图像感测器

发明专利有效专利

申请号：
CN201680086483.9
IPC分类号：H01L31/107
申请日期：
2016-06-21
申请人：
深圳帧观德芯科技有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	基于雪崩光电二极管的图像感测器
申请号	CN201680086483.9	申请日期	2016-06-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-02-05	公开/公告号	CN109314153A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/107 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/102 仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕 H01L31/107 以雪崩模式工作的势垒，如雪崩光二极管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;7查看分类表>
申请人	深圳帧观德芯科技有限公司	申请人地址	广东省深圳市南山区招商街道沿山社区南海大道1019号南山医疗器械产业园A、B座B507 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳帧观德芯科技有限公司	当前权利人	深圳帧观德芯科技有限公司
发明人	曹培炎;刘雨润
代理机构	深圳市六加知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本文公开这样的装置，其包括雪崩光电二极管(APD)阵列，APD中的每个包括吸收区和放大区；其中吸收区配置成从吸收区所吸收的光子产生载流子；其中放大区包括结，在该结中具有电场；其中电场处于足以导致进入放大区的载流子雪崩但不足以使雪崩自持的值；其中APD的结是离散的。

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