一种多传感器的协同制造工艺流程

发明专利有效专利

申请号：
CN201810774509.X
IPC分类号：B81B7/04;B81C1/00
申请日期：
2018-07-13
申请人：
河南汇纳科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种多传感器的协同制造工艺流程
申请号	CN201810774509.X	申请日期	2018-07-13
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2018-11-23	公开/公告号	CN108862186A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/04 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕 B81B7/04 类似的微观结构装置的网络或排列〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;7;/;0;4;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	河南汇纳科技有限公司	申请人地址	河南省郑州市航空港区四港联动大道与省道S102交汇处西南郑州台湾科技园A-1楼5单元101号标准厂房变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	河南汇纳科技有限公司	当前权利人	河南汇纳科技有限公司
发明人	赵敏
代理机构	郑州裕晟知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	徐志威

摘要

本发明涉及一种多传感器的协同制造工艺流程，其具体制备工艺流程如下：S1、采用SOI圆片作为MEMS传感器层，SOI顶层硅为n型掺杂；S2、进行两次正面离子注入；S3、对SOI圆片的正反面进行沉积形成钝化层薄膜；S4、将SOI圆片的正面进行溅射电极和引线；S5、对SOI圆片进行器件层刻蚀；S6、对SOI圆片进行衬底层刻蚀；S7、对SOI圆片的埋氧层进行刻蚀；S8、对MEMS于CMOS三位集成；本发明具有协同效果好、制造简便的优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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