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包括硅通孔的芯片

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201621249793.1
IPC分类号：H01L21/768;H01L21/265
申请日期：
2016-11-22
申请人：
武汉光谷创元电子有限公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	包括硅通孔的芯片
申请号	CN201621249793.1	申请日期	2016-11-22
法律状态	放弃专利权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/768 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/71 限定在组H01L 21/70中的器件的特殊部件的制造（H01L 21/28，H01L 21/44，H01L 21/48优先）〔6〕 H01L21/768 利用互连在器件中的分离元件间传输电流〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5查看分类表>
申请人	武汉光谷创元电子有限公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖开发区关东园路18号高科大厦10楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉光谷创元电子有限公司	当前权利人	武汉光谷创元电子有限公司
发明人	宋红林;王志健;杨志刚;张志强
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	暂无

摘要

本实用新型涉及包括硅通孔的芯片。一种芯片包括硅晶片和设置于硅晶片中的通孔，在通孔的孔壁上从内到外依次覆盖有由绝缘材料组成的绝缘层、扩散阻挡层、籽晶层和导体层，其中扩散阻挡层包括由绝缘材料和第一注入材料组成的第一离子注入层、以及紧邻籽晶层且由第一沉积材料组成的第一沉积层，籽晶层包括由第一沉积材料和第二注入材料组成的第二离子注入层。

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