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包括有二字线晶体管的磁性存储元件及其读取和编程方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200610142909.6
IPC分类号：H01L27/22;H01L27/105;H01L43/08;G11C11/15;G11C11/16;G11C16/02
申请日期：
2006-11-01
申请人：
旺宏电子股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	包括有二字线晶体管的磁性存储元件及其读取和编程方法
申请号	CN200610142909.6	申请日期	2006-11-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2007-05-23	公开/公告号	CN1967859
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/22 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/22 包括有利用电—磁效应的组件的，例如霍尔效应；应用类似磁场效应的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;2;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;0;5;;;H;0;1;L;4;3;/;0;8;;;G;1;1;C;1;1;/;1;5;;;G;1;1;C;1;1;/;1;6;;;G;1;1;C;1;6;/;0;2查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	何家骅
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	王英

摘要

本发明关于一种磁性随机存取存储体单元，其包括有磁性金属层、以及邻近于此磁性金属层的磁感测元件。此磁性金属层的一端耦接至一字线晶体管，并且二极管包括并被设置以经由一第二字线晶体管而耦接此磁感测元件至一位线。此磁性金属层可被用以编程与读取此单元，并因此在此单元中不需要第二电流线路。

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