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可靠性测试结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201320672799.X
  • IPC分类号:H01L21/66
  • 申请日期:
    2013-10-29
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称可靠性测试结构
申请号CN201320672799.X申请日期2013-10-29
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
北京市大兴区北京经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人冯军宏
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人屈蘅;李时云
摘要
本实用新型提出了一种可靠性测试结构,包括:器件区,形成于器件区上的栅极,均匀地分布在栅极两侧的虚拟栅极,将虚拟栅极连接在一起的金属连线,分被位于栅极两端的第一通孔连线与第二通孔连线;形成多个虚拟栅极,并使用金属连线将其连接在一起,接着对金属连线以及虚拟栅极施加电流,由电能产生热量可以为所述栅极加热,能够使所述栅极快速升温,从而减少加热时间,提高效率,并降低生产成本。

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