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一种有机中介层封装结构及制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202211002673.1
  • IPC分类号:H01L21/48;H01L23/538;H01L23/498
  • 申请日期:
    2022-08-22
  • 申请人:
    盛合晶微半导体(江阴)有限公司
著录项信息
专利名称一种有机中介层封装结构及制作方法
申请号CN202211002673.1申请日期2022-08-22
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2022-09-23公开/公告号CN115101424A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/48IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8查看分类表>
申请人盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请人地址
江苏省无锡市江阴市东盛西路9号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人盛合晶微半导体(江阴)有限公司当前权利人盛合晶微半导体(江阴)有限公司
发明人陈彦亨;林正忠
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)代理人余明伟
摘要
本发明提供一种有机中介层封装结构及制作方法,该方法包括以下步骤提供一半导体衬底,于半导体衬底上形成重新布线层,于重新布线层上形成与重新布线层电连接的导电柱,形成覆盖重新布线层及导电柱的有机介质层,于有机介质层及导电柱上形成与导电柱电连接的焊料凸点,提供支撑基底,通过粘合层将焊料凸点与支撑基底粘合,去除半导体衬底以显露重新布线层,形成与重新布线层电连接的键合焊盘,提供切割承载体,将切割承载体与键合焊盘连接,并基于粘合层去除支撑基底。本发明通过于有机介质层中设置导电柱实现上下层的互连,无需硅通孔等复杂的工艺,制程良率高,并且能够进行高密度多晶片的连结封装,能够用于2.5D及3D扇出型封装结构。

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