铁电存储器器件及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110516834.8
IPC分类号：H01L27/11587;H01L27/1159;H01L27/11592;H01L27/11597
申请日期：
2021-05-12
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	铁电存储器器件及其形成方法
申请号	CN202110516834.8	申请日期	2021-05-12
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-10	公开/公告号	CN113380825A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/11587 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕 H01L27/11585 具有包括用于铁电存储器特性的层的栅电极，例如，MFS（金属-铁电体-半导体）或 MFMIS（金属-铁电体-金属-绝缘体-半导体）〔2017.01〕 H01L27/11587 以顶视图布局为特征的〔2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;8;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;9;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;9;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;9;7查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	吕俊颉;杨世海;林佑明;马礼修;乔治奥斯·韦理安尼堤斯
代理机构	北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人	章社杲;李伟

摘要

一种铁电存储器器件包括多层堆叠件、沟道层和基于III‑V的铁电层。该多层堆叠件布置在衬底上并包括交替堆叠的多个导电层与多个介电层。该沟道层穿透多层堆叠件的多个导电层和多个介电层。该基于III‑V的铁电层布置在沟道层与多层堆叠件之间，并包括选自III族元素的至少一种元素、选自V族元素的至少一种元素和选自过渡金属元素的至少一种元素。本发明的实施例还公开了形成铁电存储器器件的方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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