加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

形成氧化物薄膜的方法及其装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN02823384.0
  • IPC分类号:H01L21/316;H01L21/31;C01B13/14;C01B33/12
  • 申请日期:
    2002-10-31
  • 申请人:
    株式会社明电舍;独立行政法人产业技术综合研究所
著录项信息
专利名称形成氧化物薄膜的方法及其装置
申请号CN02823384.0申请日期2002-10-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2005-03-09公开/公告号CN1592958
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/316
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;1;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;;;C;0;1;B;1;3;/;1;4;;;C;0;1;B;3;3;/;1;2查看分类表>
申请人株式会社明电舍;独立行政法人产业技术综合研究所申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社明电舍,独立行政法人产业技术综合研究所当前权利人株式会社明电舍,独立行政法人产业技术综合研究所
发明人西口哲也;野中秀彦;一村信吾
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人孙爱
摘要
通过将试样暴露给臭氧气体而在氧化试样(10)表面上形成氧化物薄膜的方法,包括下述步骤:用辐射红外光的光源(23)在放置于基座(21)或者用以加热基座的加热装置上的试样的待氧化区域上局部加热该氧化区域,并且,在100~44,000Pa的指定压力下加热氧化试样的同时,通过供应臭氧气体给氧化试样而将氧化试样暴露给臭氧气体,其中,臭氧气体的流动可以调节以使其在炉(20)中的流动为层流状态,可以安装辐射紫外光的光源,并且辐射紫外光的光源可以安装以辐射基座(20)的上游侧。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供