多重值闪存的写入与清除方法

发明专利有效专利

申请号：
CN02102899.0
IPC分类号：G11C16/06;G11C16/14;G11C7/00
申请日期：
2002-01-30
申请人：
旺宏电子股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	多重值闪存的写入与清除方法
申请号	CN02102899.0	申请日期	2002-01-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2003-08-13	公开/公告号	CN1435844
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;6;;;G;1;1;C;1;6;/;1;4;;;G;1;1;C;7;/;0;0查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区力行路16号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	范左鸿;叶致锴;卢道政
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	王学强

摘要

一种多重值闪存的写入与清除方法，用于对此多重值闪存作判读时，能有较大的读取电流分布范围及较大的操作起始电压范围而不至于误判。写入方法的步骤具有：在漏极上施加漏极电压，在栅极射入不同次数且每次对应不同向上递增的步阶值输出的写入电压以改变多重值闪存所代表的值，并在多重值闪存作最高值或是任何一值写入时，在最后一次写入电压射入前额外增加一次写入电压射入。清除方法的步骤具有：在源极上施加源极电压，在基底上施加基底电压，在栅极射入不定次数且每次对应不同向下减少的一步阶值输出的清除电压以清除多重值闪存所代表的不同值，以及多重值闪存作一值清除时，在最后一次清除电压射入前额外增加一次清除电压射入。

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