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一种发光二极管

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201220336418.6
IPC分类号：H01L33/48
申请日期：
2012-07-12
申请人：
北京瑞普北光电子有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种发光二极管
申请号	CN201220336418.6	申请日期	2012-07-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8查看分类表>
申请人	北京瑞普北光电子有限公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京瑞普北光电子有限公司	当前权利人	北京瑞普北光电子有限公司
发明人	王四新;刘先章;宋亚美
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型提供了一种发光效率高、节能环保的发光二极管，包括具有梯形凹槽的基板，凹槽底面设有电路板，所述电路板上连接有发光芯片，所述凹槽侧面设有反光板，所述凹槽开口处设有荧光部件，所述荧光部件上方设有透镜；所述荧光部件由荧光粉和透光材料组成。本实用新型的发光二极管，结构简单、通过反光板、荧光部件和透镜进行反光和透光，发光效率高，节能环保。

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