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半导体元件及半导体元件的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710624530.7
  • IPC分类号:H01L29/06
  • 申请日期:
    2017-07-27
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司;林浩雄
著录项信息
专利名称半导体元件及半导体元件的制造方法
申请号CN201710624530.7申请日期2017-07-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-02-06公开/公告号CN107665919A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司;林浩雄申请人地址
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司,林浩雄当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司,林浩雄
发明人杨哲维;林浩雄;潘正圣
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司代理人徐金国
摘要
一种半导体元件,包括自基板突出的半导体鳍片、半导体鳍片上方的栅极电极、半导体鳍片与栅极电极之间的栅极绝缘层、半导体鳍片的相对侧上设置的源极区域与漏极区域、源极区域与漏极区域之间的区域中所形成的第一应力源。第一应力源包括一种选自由He、Ne及Ga组成的群组的材料。

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