高光电效率二氧化钛光纳米管阵列光阳极的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010190390.5
IPC分类号：H01G9/04;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/48
申请日期：
2010-06-02
申请人：
西南交通大学

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专利名称	高光电效率二氧化钛光纳米管阵列光阳极的制备方法
申请号	CN201010190390.5	申请日期	2010-06-02
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-10-27	公开/公告号	CN101872682A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G9/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G9/00 电解电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件；其制造方法〔2〕 H01G9/004 零部件〔6〕 H01G9/04 电极〔6〕	IPC分类号	H;0;1;G;9;/;0;4;;;H;0;1;G;9;/;2;0;;;H;0;1;M;1;4;/;0;0;;;H;0;1;L;5;1;/;4;8查看分类表>
申请人	西南交通大学	申请人地址	四川省成都市二环路北一段111号西南交通大学科技处变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西南交通大学	当前权利人	西南交通大学
发明人	杨峰，蔡芳共，赵勇
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种高光电效率二氧化钛光纳米管阵列光阳极的制备方法，利用窄带半导体对TiO2纳米管阵列进行修饰，其特征在于：通过阳极氧化法制得二氧化钛纳米管阵列模板，所得阵列模板经450℃退火3.5小时，再将其依次浸渍于硝酸铅溶液、去离子水、硫化钠溶液和去离子水中，所述溶液中铅和硫摩尔比Pb∶S＝1∶1，循环5-8次，最后经超声处理，得到硫化铅修饰的二氧化钛纳米管阵列光阳极。本发明的二氧化钛纳米管阵列光阳极材料制备方法，生产工艺简单，制备的二氧化钛纳米管阵列光阳极材料电流密度和光电转换效率较高，可以直接应用。

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