换挡挡位控制装置发明专利
申请号：CN201880013841.2
LOC分类号:F16H61/28
IPC结构图谱：
- H电学
- H9电学
- H01基本电气元件
- H01L半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕
- H01L21/00专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕
- H01L21/02半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕
- H01L21/04至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕
- H01L21/34具有H01L 21/06，H01L 21/16及H01L 21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件〔2〕
- H01L21/46用H01L 21/36至H01L 21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/44）〔2〕
- H01L21/461改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕
- H01L21/4763非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L 21/28）〔5〕
