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去除深沟槽中残留光阻的方法及闪存的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410464697.8
IPC分类号：H01L21/311;H01L27/11521
申请日期：
2014-09-12
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	去除深沟槽中残留光阻的方法及闪存的制作方法
申请号	CN201410464697.8	申请日期	2014-09-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-04-06	公开/公告号	CN105470127A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/311 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/31 在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L 21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择〔2，5〕 H01L21/3105 后处理〔5〕 H01L21/311 绝缘层的刻蚀〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;1;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;1查看分类表>
申请人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	苏步春;曹子贵;孙艳
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郑玮

摘要

本发明提出了一种去除深沟槽中残留光阻的方法及闪存的制作方法，使用轻量灰化处理工艺，将沟槽底部角落残留光阻灰化形成气体，从而去除沟槽底部角落的残留光阻，有利于后续工艺的顺利进行。进一步的，在形成闪存时，采用轻量灰化处理工艺去除深沟槽底部角落的残留光阻，能够使后续刻蚀工艺顺利进行，避免形成的浮栅层与后续形成的源线发生短路，从而提高了形成闪存的良率。

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