静电放电保护电路和半导体设备

发明专利有效专利

申请号：
CN201110068164.4
IPC分类号：H02H9/00;H01L27/02
申请日期：
2011-03-18
申请人：
富士通半导体股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	静电放电保护电路和半导体设备
申请号	CN201110068164.4	申请日期	2011-03-18
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2011-09-21	公开/公告号	CN102195280A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02H9/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02H 紧急保护电路装置（指示或警报意外工作情况的入G01R，例如G01R 31/00，G08B；沿线测定故障位置入G01R 31/08；紧急保护装置入H01H） H02H9/00 用于限制过电流或过电压而不切断电路的紧急保护电路装置（保护装置与特种机械或设备的结构组合见该机械或设备的有关小类）	IPC分类号	H;0;2;H;9;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人	富士通半导体股份有限公司	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社索思未来	当前权利人	株式会社索思未来
发明人	太田和俊;桥本贤治
代理机构	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司	代理人	宋鹤

摘要

本发明公开了静电放电保护电路和半导体设备。一种静电放电保护电路包括：PNPN结，该PNPN结的P型侧耦合到端子，该PNPN结的N型侧耦合到地；以及P型金属氧化物半导体晶体管，该P型金属氧化物半导体晶体管的源极和栅极被耦合到PN结的N型侧，该PN结的P型侧耦合到地，该P型金属氧化物半导体晶体管的漏极耦合到所述端子。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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