外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔

发明专利有效专利

申请号：
CN201210484714.5
IPC分类号：H01L21/205C23C16/46
申请日期：
2012-11-23
申请人：
清华大学

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著录项信息

专利名称	外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔
申请号	CN201210484714.5	申请日期	2012-11-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-02-20	公开/公告号	CN102938369A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/205 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/20 半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕 H01L21/205 应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积〔2〕	IPC分类号	H01L21/205;C23C16/46查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市海淀区清华*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	严利人;刘志弘;周卫;张伟
代理机构	北京中伟智信专利商标代理事务所	代理人	张岱

摘要

本发明公开了一种外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔，为解决现有的外延生长预处理工艺中，采用加热方法去除衬底表面杂质所带来到产品的品质表面、操作繁琐等问题而设计。所述外延生长预处理方法为使用激光照射衬底，以使所述衬底所需外延生长的表面局部升温至外延生长预处理所需温度；其中，所述衬底位于还原性气体中。所述外延生长预处理工艺腔，包括工艺腔体；所述工艺腔体上设有进气口、出气口以及用于照射位于所述工艺腔体内的衬底的激光装置。本发明外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔具有操作简便、快捷，产品质量有保证的特点。

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发明授权

外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔

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