一种实现可靠性测试及阻值偏差补偿的压阻式传感器

发明专利有效专利

申请号：
CN202111251494.7
IPC分类号：G01L1/22;B81B7/02
申请日期：
2021-10-27
申请人：
东南大学

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著录项信息

专利名称	一种实现可靠性测试及阻值偏差补偿的压阻式传感器
申请号	CN202111251494.7	申请日期	2021-10-27
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-26	公开/公告号	CN113701927A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01L1/22 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01L 测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力（称量入G01G）〔4〕 G01L1/00 力或应力的一般计量（测量由于冲击产生的力入G01L 5/00）〔4〕 G01L1/20 通过测量固体材料或导电流体欧姆电阻变化（属压电电阻材料的入G01L 1/18）；应用动力电池，即施加应力后会产生或改变其电位的液体电池 G01L1/22 利用电阻应变仪	IPC分类号	G;0;1;L;1;/;2;2;;;B;8;1;B;7;/;0;2查看分类表>
申请人	东南大学	申请人地址	江苏省南京市江宁区东南大学路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东南大学	当前权利人	东南大学
发明人	黄晓东;张鹏飞;王广猛;熊强;李宇翱;张志强
代理机构	南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙）	代理人	沈廉

摘要

本发明公开了一种实现可靠性测试及阻值偏差补偿的压阻式传感器，包括压力敏感薄膜、压敏电阻、隧穿层，电荷存储层设置在隧穿层的上表面，并位于压敏电阻的上方，且部分覆盖压敏电阻；阻挡层完全覆盖隧穿层和电荷存储层的上表面；压阻电极设置在阻挡层的上表面，并穿过隧穿层和阻挡层上的通孔与压敏电阻电连接；调控电极设置在阻挡层的上表面，与压阻电极相间隔，并部分覆盖电荷存储层。其中，压敏电阻、隧穿层、电荷存储层、阻挡层与调控电极构成电荷型非易失性存储器结构，该结构能够实现定量调控电荷存储层中的俘获电荷数目以及通过俘获的电荷调控压敏电阻的载流子浓度进而调整压敏电阻的阻值，从而实现压敏电阻的有效修正与补偿。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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