具有(111)取向生长NZFO晶相柱阵列的BTO/NZFO复相多铁薄膜及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011504188.5
IPC分类号：H01L43/10;H01L43/12
申请日期：
2020-12-18
申请人：
浙江大学

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专利名称	具有(111)取向生长NZFO晶相柱阵列的BTO/NZFO复相多铁薄膜及制备方法
申请号	CN202011504188.5	申请日期	2020-12-18
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-27	公开/公告号	CN112713238A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/10 材料的选择〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;1;0;;;H;0;1;L;4;3;/;1;2查看分类表>
申请人	浙江大学	申请人地址	浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江大学	当前权利人	浙江大学
发明人	杜丕一;田薇;李谷尧;吕爽;王宗荣;马宁
代理机构	杭州求是专利事务所有限公司	代理人	万尾甜;韩介梅

摘要

本发明公开了一种具有(111)取向NZFO晶相柱阵列分布的BTO/NZFO复相多铁薄膜，首先通过溶胶‑凝胶法制得溶胶前驱体，接着在单晶硅基板上以旋涂方法制备首层薄膜，经过紫外臭氧预处理，再在快速升温炉中通过结合控制首层膜沉积厚度以及在高温下热处理，控制在首层膜层中实现包括分相、异相成核等过程，原位制备具有两相分离结构且NZFO结晶并具有(111)取向的诱导膜层，之后经过多步重复旋涂‑热处理过程获得复相膜，在复相膜上再覆盖BTO纯相膜以使其填充在NZFO晶相柱之间，本发明这种复相加单相的多层结构膜，成功实现了BTO/NZFO复相薄膜材料1‑3型微结构的原位形成，材料具有很高的磁电耦合效应。外加磁场作用下，在铁电相BTO居里点处获得高达40％的磁化突变，具有重要意义。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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