半导体结构的制造方法与半导体元件

发明专利有效专利

申请号：
CN200910209645.5
IPC分类号：H01L21/336;H01L21/3065;H01L21/8234;H01L29/78;H01L29/06
申请日期：
2009-11-02
申请人：
中国台湾积体电路制造股份有限公司

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专利名称	半导体结构的制造方法与半导体元件
申请号	CN200910209645.5	申请日期	2009-11-02
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-10-27	公开/公告号	CN101872725A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	中国台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	高大伟;王祥保;黄明杰;吴集锡;古淑瑗
代理机构	北京中原华和知识产权代理有限责任公司	代理人	寿宁;张华辉

摘要

本发明是有关于一种半导体结构的制造方法与半导体元件。该半导体结构的制造方法，包含：提供一硅基材，该硅基材具有一基材表面，且至少一元件结构设置在该基材表面的一第一部分上，一材料层设置在该基材表面的一第二部分上；从该基材表面上移除该材料层，以使该第二部分成为一暴露基材表面部分、以及使该第一部分成为由该元件结构所覆盖的一覆盖基材表面部分；藉由进行多个溴基蚀刻制造工艺，来蚀刻该硅基材，其中该些溴基蚀刻制造工艺选择性蚀刻硅，且包含一第一溴基蚀刻步骤与一第二溴基蚀刻步骤，仅该第一溴基蚀刻步骤包含氮气作为蚀刻气体；以及在该蚀刻步骤后，利用包含氟与氯的一蚀刻化学物，进一步蚀刻该硅基材。

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