用于单晶金刚石生长的晶种托

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201920275286.2
IPC分类号：C30B25/00;C30B29/04;C23C16/27;C23C16/517;C23C16/458
申请日期：
2019-03-05
申请人：
中国科学院物理研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	用于单晶金刚石生长的晶种托
申请号	CN201920275286.2	申请日期	2019-03-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B25/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B25/00 反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;4;;;C;2;3;C;1;6;/;2;7;;;C;2;3;C;1;6;/;5;1;7;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;8查看分类表>
申请人	中国科学院物理研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村南三街8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院物理研究所	当前权利人	中国科学院物理研究所
发明人	闫石;李俊杰;顾长志
代理机构	北京泛华伟业知识产权代理有限公司	代理人	郭广迅

摘要

本实用新型提供一种用于单晶金刚石生长的晶种托，其中，所述晶种托上表面(7)为凹球面，所述凹球面中心具有贯穿孔(5)，所述贯穿孔底部放置晶种垫(6)。本实用新型提供的晶种托可控制等离子体范围以获得更均匀的能量密度，从而使得单晶金刚石晶种具有更好的生长效果，生长速率达到20μm/h～30μm/h，并能够保证生长模式为层状模式。本实用新型提供的晶种托适用于不同厚度的单晶金刚石晶种，且方便拆卸清洗和重复利用。

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