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微透镜阵列的形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011136463.2
  • IPC分类号:G02B3/00;G03F7/16;G03F7/40;H01L27/146
  • 申请日期:
    2020-10-22
  • 申请人:
    晶芯成(北京)科技有限公司
著录项信息
专利名称微透镜阵列的形成方法
申请号CN202011136463.2申请日期2020-10-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-12-01公开/公告号CN112014910A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B3/00IPC分类号G;0;2;B;3;/;0;0;;;G;0;3;F;7;/;1;6;;;G;0;3;F;7;/;4;0;;;H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人晶芯成(北京)科技有限公司申请人地址
北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人晶芯成(北京)科技有限公司当前权利人晶芯成(北京)科技有限公司
发明人吴建宏;林士程;王厚有
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人曹廷廷
摘要
本发明提供了一种微透镜阵列的形成方法,包括提供半导体衬底,所述半导体衬底包括像素区域和外围区域;在所述半导体衬底上涂布光刻胶并对所述光刻胶进行烘烤,利用所述像素区域和所述外围区域存在的台阶,在所述像素区域形成具有一定形貌的光刻胶层;对所述光刻胶层进行光刻作业,以在所述像素区域形成微透镜阵列。本发明先利用半导体衬底上像素区域和外围区域存在的台阶,在像素区域形成具有一定形貌的光刻胶层,然后通过光刻工艺形成微透镜阵列,使像素区域的中心和像素区域的边缘上的微透镜具有不同的曲率,实现CRA优化,减小像差。

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