发光装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200480002841.0
IPC分类号：H01L51/50;H01L51/52;H01L27/32
申请日期：
2004-01-14
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	发光装置
申请号	CN200480002841.0	申请日期	2004-01-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-03-01	公开/公告号	CN1742518
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;2;;;H;0;1;L;2;7;/;3;2查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县厚木市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	井边隆广
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	杨凯;叶恺东

摘要

有机EL元件与其他发光元件相比，具有许多优异的特性，然而元件寿命不足是一个问题。另外，想要用于便携式显示装置等应用，提高电力效率便非常重要。本发明提供一种既可提高电力效率，又能延长元件寿命的元件结构，其中，第一阳极302和阴极304夹着第一电场发光膜303，另外，在阴极304上层叠第二电场发光膜305和第二阳极306。此时，第一阳极302和第二阳极306相接触而形成并联电路，使流过各电场发光膜的电流减少。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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