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半导体光电子器件的制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811127157.5
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2018-09-26
  • 申请人:
    中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
著录项信息
专利名称半导体光电子器件的制作方法
申请号CN201811127157.5申请日期2018-09-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-04-03公开/公告号CN110957399A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请人地址
江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所当前权利人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明人张宝顺;徐峰;于国浩;张晓东;时文华
代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人王锋;赵世发
摘要
本发明公开了一种半导体光电子器件的制作方法,所述制作方法包括在衬底上生长形成光电子器件结构的步骤,所述光电子器件结构包括N型层、有源区发光层及P型层;以及还包括:在所述光电子器件结构上设置掩模,并利用所述掩模对所述N型层、有源区发光层及P型层中的任一者或多种进行离子注入,从而调控所述光电子器件结构的出光区域的面积和/或形状。本发明提供的半导体光电子器件的制作方法,能够兼顾到提高芯片有效使用面积、降低材料侧壁损伤效应、消除器件光串扰问题、提升器件发光效率等;在实际生产中通过改变掩膜尺寸可以精确调节高阻态隔离区域的间距,从而灵活定义芯片的特征尺寸,实现数微米至数百微米尺寸的器件制备。

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