一种底部三面保护的硅尖制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02136132.0
IPC分类号：--
申请日期：
2002-07-19
申请人：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种底部三面保护的硅尖制作方法
申请号	CN02136132.0	申请日期	2002-07-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-01-15	公开/公告号	CN1391234
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	申请人地址	上海市长宁区长宁路865号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	当前权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人	王浙辉;王跃林
代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	潘振甦

摘要

本发明涉及一种硅尖的制作方法，更确切地说，涉及一种底部三面保护的制作硅尖方法，其特征在于：(1)在(100)硅片正面和背面，挖二条相交的槽，然后用二氧化硅保护槽的表面和硅片的正面和背面，形成二个侧面和一个硅片背面的三面保护；(2)然后，光刻正面在各向异性液中自硅片的上表面向下的各向异性腐蚀，当腐蚀深度到达底部两个槽的顶部以后，腐蚀限制在三个方向上，最后形成由一个慢腐蚀面和每条槽的一个侧面的三个面围成的硅尖。两相交的槽可以呈任意角，最常用的是90度腐蚀方向被限制在x、y、z三个方向。本发明具有制作工艺简单又克服了现有技术中腐蚀过度或不足造成的掩膜脱落现象，且重复性好。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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