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一种小型化高压二极管的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510077731.0
  • IPC分类号:H01L21/329
  • 申请日期:
    2015-02-13
  • 申请人:
    天津中环半导体股份有限公司
著录项信息
专利名称一种小型化高压二极管的制备方法
申请号CN201510077731.0申请日期2015-02-13
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2015-05-20公开/公告号CN104637809A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/329IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人天津中环半导体股份有限公司申请人地址
天津市滨海新区新技术产业园区华苑产业区科(环外)海泰东路12号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津中环半导体股份有限公司当前权利人天津中环半导体股份有限公司
发明人朱肖令;梁效峰;徐景致
代理机构天津中环专利商标代理有限公司代理人王凤英
摘要
本发明涉及小型化高压二极管的制备方法。其步骤:按顺序将9片硅片垂直叠放好后烧磷源:炉温200±5℃,恒温50min;充入氧气和氮气;烧硼源:炉温500±5℃,升温速率2℃/min,恒温120±1min;将扩散舟放入扩散炉,当炉温为650±5℃时,上调炉温,升至1200±1℃后,恒温190min;继续升温至1269℃时关闭氧气,调节氮气流量,炉温为1270±1℃,恒温18±2h;降温至800℃,恒温205min,冷却后出炉。采取本方法,产品具有体积小、电气特性稳定、可靠性高等特点,实现了管芯长度为2.96±0.15mm,管体尺寸为Φ2mm*5mm的小型化,满足了对小型化高压二极管的市场需求。

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