一种高精度灰度掩模制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510011493.X
IPC分类号：G03F1/00
申请日期：
2005-03-29
申请人：
中国科学院光电技术研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种高精度灰度掩模制作方法
申请号	CN200510011493.X	申请日期	2005-03-29
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2005-11-30	公开/公告号	CN1702547
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备〔3，2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院光电技术研究所	申请人地址	四川省成都市双流350信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院光电技术研究所	当前权利人	中国科学院光电技术研究所
发明人	董小春;杜春雷;李淑红
代理机构	北京科迪生专利代理有限责任公司	代理人	刘秀娟;成金玉

摘要

一种高精度灰度掩模制作方法，首先选择掩模基底材料，并在掩模基底材料表面涂敷衰减光材料，再将掩模基底表面的衰减光材料加工成所要求的浮雕结构，然后在衰减光浮雕结构表面涂敷一定的保护层，利用不同区域衰减光材料对光的衰减能力不同，对通光量进行调制，最后将掩模直接放置在光刻胶上，进行曝光，显影。本发明与采用传统半色调掩模制作的微浮雕结构相比，制作的微浮雕结构表面光洁度以及陡直度都有很大程度的提高，采用本发明的掩模可实现折叠元件、折衍混合元件、二元元件等元件的高精度一步成形，与现有二元套刻工艺相比，不仅元件质量大幅度提高，同时加工成本也有大幅下降，并且适合于元件的批量化生产。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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