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半导体元件及半导体元件的操作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510315077.2
  • IPC分类号:H01L27/02
  • 申请日期:
    2015-06-10
  • 申请人:
    联华电子股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体元件及半导体元件的操作方法
申请号CN201510315077.2申请日期2015-06-10
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-01-04公开/公告号CN106298768A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/02IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人联华电子股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市新竹科学工业园区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人联华电子股份有限公司当前权利人联华电子股份有限公司
发明人浦士杰;李明宗;杨承桦;李年中;李文芳;王智充
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陈小雯
摘要
本发明公开一种半导体元件及半导体元件的操作方法,该半导体元件包含:基板;深阱区,设置于基板中的一侧;元件区,设置于深阱区中位于基板的该侧;漏极区,设置于深阱区中位于基板的该侧,环绕元件区;栅极结构,设置于基板的该侧上,与深阱区相邻环绕漏极区;阱区,设置于深阱区中位于基板的该侧,环绕栅极结构;源极区,设置于阱区中位于基板的该侧,环绕栅极结构;主体接触区,与源极区分离地设置于阱区中,环绕源极区;以及环型掺杂区,与深阱区分离地设置于基板中的该侧,环绕深阱区。依据操作方法的不同,半导体元件能做为高压侧元件或是整合型靴带式二极管元件。高压侧元件具好的耐压稳定性,以克服现有防护环稳定性不足的缺陷。

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