利用环形沿面放电等离子装置的点状蚀刻模块以及点状蚀刻模块的蚀刻轮廓的控制方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201980016380.9
IPC分类号：H01L21/67;H01L21/3065;H01J37/32;H05H1/46
申请日期：
2019-02-13
申请人：
韩国基础科学支援研究院

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专利名称	利用环形沿面放电等离子装置的点状蚀刻模块以及点状蚀刻模块的蚀刻轮廓的控制方法
申请号	CN201980016380.9	申请日期	2019-02-13
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-20	公开/公告号	CN111801784A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5;;;H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;H;0;5;H;1;/;4;6查看分类表>
申请人	韩国基础科学支援研究院	申请人地址	韩国大田市儒城区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	韩国核融合能源研究院	当前权利人	韩国核融合能源研究院
发明人	石东篡;卢泰协;郑熔镐;崔镕燮;李康逸;柳承烈;章守旭
代理机构	北京汇思诚业知识产权代理有限公司	代理人	刘晔;王刚

摘要

公开了一种利用环形沿面放电等离子装置的点状蚀刻模块。利用所述环形沿面放电等离子装置的点状蚀刻模块，包括：板状的电介质；圆形电极，与所述电介质的上面接触配置；环形电极，与所述电介质的下面接触配置，并提供用于容纳气体的气体容纳空间；以及供电部，用于向所述圆形电极和环形电极之间施加高电压，施加高电压而开始放电时，从在所述环形电极的内侧面和所述电介质的下面之间向所述环形电极的中心方向展开的等离子向待处理基板的方向照射丝状等离子。

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