半导体结构及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201710907027.2
IPC分类号：H01L23/31;H01L21/56
申请日期：
2017-09-29
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	半导体结构及其制造方法
申请号	CN201710907027.2	申请日期	2017-09-29
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2018-06-05	公开/公告号	CN108122863A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	余振华;吴凯强;吕俊麟
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	路勇

摘要

本发明实施例涉及一种半导体结构及其制造方法。一种半导体结构包含：第一裸片；第一模塑物，其囊封所述第一裸片；第二裸片，其放置于所述第一模塑物上方且包含第一表面、与所述第一表面对置的第二表面及介于所述第一表面与所述第二表面之间的侧壁；及第二模塑物，其放置于所述第一模塑物上方且环绕所述第二裸片，其中所述第二裸片的所述第一表面面向所述第一模塑物，且所述第二裸片至少部分地由所述第二模塑物覆盖。本发明实施例提供的半导体结构具有经暴露部分或经暴露表面的裸片促进预定感测功能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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