加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

沟槽式场效应管及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110035876.6
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06
  • 申请日期:
    2011-02-10
  • 申请人:
    上海宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称沟槽式场效应管及其制备方法
申请号CN201110035876.6申请日期2011-02-10
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-08-15公开/公告号CN102637737A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人上海宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人王颢
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人郑玮
摘要
沟槽式场效应管及其制备方法,属于半导体器件领域,包括:半导体衬底,覆盖半导体衬底表面的外延层,位于外延层内的源掺杂区,位于外延层内且在源掺杂区下方的沟道区,位于外延层内且与源掺杂区和沟道区均相邻接触的沟槽,用于连接外电极的源/漏/栅电极,以及位于沟道区下方且与沟道区相邻接处的第一掺杂区。通过所述第一掺杂区的引入,减小寄生三极管中基区电压降,抑制寄生三极管导通,从而降低三极管的基极电流,有效减小寄生三极管效应,改善沟槽式场效应管的性能。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供