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一种发光二极管芯片及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010117868.1
  • IPC分类号:H01L33/38
  • 申请日期:
    2010-03-04
  • 申请人:
    上海蓝光科技有限公司
著录项信息
专利名称一种发光二极管芯片及其制造方法
申请号CN201010117868.1申请日期2010-03-04
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-07-28公开/公告号CN101789478A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/38IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;3;8查看分类表>
申请人上海蓝光科技有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海蓝光科技有限公司当前权利人上海蓝光科技有限公司
发明人陈诚;郝茂盛;李士涛
代理机构上海光华专利事务所代理人李仪萍
摘要
本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法,该芯片包括:N型半导体层、位于所述N型半导体层上的有源层、以及位于所述有源层上的P型半导体层;在制作所述发光二极管芯片时,从所述P型半导体层向下刻蚀,形成侧壁并露出所述N型半导体层,在所述N型半导体层上设有N电极,在所述P型半导体层上设有透明导电层,在所述透明导电层上设有P电极;在所述侧壁上、所述N电极周围以及P电极下方设有绝缘膜;所述P电极下方的绝缘膜位于所述透明导电层与P型半导体层之间。本发明的技术方案可有效解决芯片漏电、电极脱落等问题。

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