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有机半导体器件原位电学性能监测设备

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110464112.2
  • IPC分类号:H01L21/66;G01R31/00
  • 申请日期:
    2021-04-28
  • 申请人:
    苏州大学
著录项信息
专利名称有机半导体器件原位电学性能监测设备
申请号CN202110464112.2申请日期2021-04-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2021-05-28公开/公告号CN112864039A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;G;0;1;R;3;1;/;0;0查看分类表>
申请人苏州大学申请人地址
江苏省苏州市吴中区石湖西路188号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州大学当前权利人苏州大学
发明人申学礼;迟力峰;王文冲;黄丽珍
代理机构苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)代理人张荣
摘要
本发明涉及一种有机半导体器件原位电学性能监测设备,包括:真空腔体,提供器件制备及原位监测的真空环境;蒸发源,提供器件制备的原材料;检测组件,包括用于实现原位电学检测的探针、设置在真空腔体外的探针座和带动探针座移动的探针移动台,探针座与真空腔体之间设置有真空波纹管,探针安装在所述探针座上并穿过真空波纹管插入到真空腔体内。可视组件,用于观察位于真空腔体内的探针的位置,调节探针移动台使探针移动到原位电学监测点;监测仪器,与检测组件连接,获取检测组件的检测数据。本发明能够在有机半导体薄膜制备的过程中,实时原位测量有机半导体薄膜的电学信号,获得电学信号随薄膜厚度或异质结类型的实时演变。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供