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消除比较器失调电压的振荡器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710405781.6
  • IPC分类号:H03K3/011;H03K3/023
  • 申请日期:
    2017-05-27
  • 申请人:
    上海华虹宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称消除比较器失调电压的振荡器
申请号CN201710405781.6申请日期2017-05-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-11-03公开/公告号CN107317568A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03K3/011IPC分类号H;0;3;K;3;/;0;1;1;;;H;0;3;K;3;/;0;2;3查看分类表>
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人袁志勇
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人郭四华
摘要
本发明公开了一种消除比较器失调电压的振荡器,包括:包括:两个电容和一个比较器和一个数字模块,通过开关控制电容的充放电,第一电流源为两个电容的充电电流源,第一电流源为第二电流路径和第三电流路的镜像电流,比较电压由第二电流路径的第一MOS晶体管的栅源电压确定,比较电压通过开关分别在前后周期中连接到比较器的正反相输入端;由第一MOS晶体管和第三电流路的第二MOS晶体管的栅源电压差除以第三电流路的第一电阻的值确定第三电流源的大小进而确定第一电流源的电流大小。本发明的比较电压直接采用电流源路径中的MOS晶体管的栅源电压,能够使功耗和面积都得到降低。

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