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半导体装置及该半导体装置的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201710599967.X
  • IPC分类号:H01L21/34;H01L29/78
  • 申请日期:
    2017-07-21
  • 申请人:
    株式会社半导体能源研究所
著录项信息
专利名称半导体装置及该半导体装置的制造方法
申请号CN201710599967.X申请日期2017-07-21
法律状态撤回申报国家暂无
公开/公告日2018-02-02公开/公告号CN107658229A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/34IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;4;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人株式会社半导体能源研究所申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社半导体能源研究所当前权利人株式会社半导体能源研究所
发明人山崎舜平;中泽安孝;半田拓哉;渡边正宽
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人刘多益;胡烨
摘要
本发明的一个方式的目的之一是使半导体装置具有良好的电特性。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的半导体装置。一种包含金属氧化物的半导体装置,该半导体装置包括栅电极、栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的金属氧化物、金属氧化物上的一对电极、以及与金属氧化物接触的第二绝缘膜,金属氧化物包括第一金属氧化物、以及与第一金属氧化物的顶面接触的第二金属氧化物,第一金属氧化物及第二金属氧化物都包含In、元素M(M是镓、铝、硅等)及Zn,第一金属氧化物具有其结晶性低于第二金属氧化物的区域,第二绝缘膜具有其厚度小于第二金属氧化物的区域。

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