一种高k薄膜MOS结构及其制备和检测方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811089232.3
IPC分类号：H01L21/66;H01L29/06;H01L21/336
申请日期：
2018-09-18
申请人：
北京大学

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著录项信息

专利名称	一种高k薄膜MOS结构及其制备和检测方法
申请号	CN201811089232.3	申请日期	2018-09-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-01-18	公开/公告号	CN109243994A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/66 在制造或处理过程中的测试或测量〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	北京大学	申请人地址	北京市海淀区颐和园路5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京大学	当前权利人	北京大学
发明人	武燕庆;李栓;傅凯;林友宇;郑捷;李星国
代理机构	北京康思博达知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘冬梅;范国锋

摘要

本发明公开了一种高k薄膜MOS结构及其制备和检测方法，所述MOS结构包括高k栅介质薄膜，所述薄膜由稀土靶材和钛靶材在含氧气体中溅射在衬底上得到。所述MOS结构的制备方法包括：清洗衬底，对靶材进行预处理；通入含氧气体，在衬底上溅射得到高k栅介质薄膜；在所述高k栅介质薄膜和衬底上溅射电极，得到所述MOS结构；对制备得到的MOS结构进行退火处理。所述检测方法是将高k栅介质薄膜溅射到石英衬底上，采集光谱进行禁带宽度检测。本发明所述制备方法简单，易于实现，制得的MOS结构具备优良的电学和光学性能；检测方法直观、操作方便。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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