螺芴衍生物,发光元件用材料,发光元件,发光设备和电子设备

发明专利有效专利

申请号：
CN201310493061.1
IPC分类号：C07C211/61;C07C209/10;H01L51/54
申请日期：
2006-09-22
申请人：
株式会社半导体能源研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	螺芴衍生物,发光元件用材料,发光元件,发光设备和电子设备
申请号	CN201310493061.1	申请日期	2006-09-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-03-19	公开/公告号	CN103641726A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C07C211/61 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C07 有机化学〔2〕 C07C 无环或碳环化合物（高分子化合物入C08；有机化合物的电解或电泳生产入C25B 3/00，C25B 7/00） C07C211/00 含有与碳架连接的氨基的化合物〔5〕 C07C211/43 有与碳架的六元芳环的碳原子连接的氨基〔5〕 C07C211/57 氨基连接在属于碳架的稠环系部分的六元芳环的碳原子上〔5〕 C07C211/61 用3个或更多环构成的至少1个稠环系〔5〕	IPC分类号	C;0;7;C;2;1;1;/;6;1;;;C;0;7;C;2;0;9;/;1;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;4查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	川上祥子;中岛晴惠
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	贾成功

摘要

本发明的目的是提供具有高Tg和宽能隙的材料。本发明提供由通式1表示的螺芴衍生物。（在该通式中，R1是氢、含1-4个碳原子的烷基或由通式2表示的基团中的任一种。R2和R3中的每一个是氢或含1-4个碳原子的烷基并且可以是相同或不同的。R4是含6-15个碳原子的芳基。R5和R6中的每一个是氢、含1-4个碳原子的烷基或含6-15个碳原子的芳基中的任一种并且可以是相同或不同的。）

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供